AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок AS4C512M16D4A-62BCNTR от Alliance Memory и NT5AD512M16C4-JRI от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ Активен
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр AS4C512M16D4A-62BCNTR NT5AD512M16C4-JRI
Бренд Alliance Memory Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $75,58
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) —
Напряжение питания 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.2 V
Clock Rate 1600 MHz (DDR4-3200) —
Задержка CAS 18 ns —
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) TFBGA-96
Рабочая температура 0°C to +95°C (Commercial) —
Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) —
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
Moisture Sensitivity Level 3 (168 Hours) —
Write Cycle Time - Word, Page 15 ns —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Standard Pack 1500/reel (Tape & Reel) —
Memory Density — 8 Gbit
Организация памяти — 512M x 16
Диапазон рабочих температур — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену