AS4C512M16D4A-62BCNTR vs NT5AD512M16C4-JRI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCNTR von Alliance Memory und NT5AD512M16C4-JRI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCNTR ✓ AktivNanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C512M16D4A-62BCNTR | NT5AD512M16C4-JRI |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $75,58 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Versorgungsspannung | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) | 1.2 V |
| Clock Rate | 1600 MHz (DDR4-3200) | — |
| CAS-Latenz | 18 ns | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | TFBGA-96 |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Commercial) | — |
| Schnittstelle | POD (Pseudo Open Drain) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Moisture Sensitivity Level | 3 (168 Hours) | — |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15 ns | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Pack | 1500/reel (Tape & Reel) | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |