BSC014N04LSATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon y BSC155N06NDATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014N04LSATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C
Encapsulado SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Nivel MSL 1 (unlimited) 1
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Configuration — Dual N-channel MOSFET array
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

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