BSC014N04LSATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC014N04LSATMA1 par Infineon et BSC155N06NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC014N04LSATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 96 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55 C to +175 C
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) OptiMOS 3 (N-channel trench)
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Configuration — Dual N-channel MOSFET array
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

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