BSC014N04LSATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSATMA1 por Infineon e BSC155N06NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC014N04LSATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,74 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Encapsulamento | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Configuration | — | Dual N-channel MOSFET array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |