BSC026N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC026N04LSATMA1 por Infineon y BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC026N04LSATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 2.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: max RDS(on)] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 63 W 79 W
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Trench-gate OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Channel Type N-Channel N-Channel
Estado RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Recuento de pines — 8
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C (junction)

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