BSC026N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC026N04LSATMA1 メーカー: Infineon および BSC022N04LS6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC026N04LSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.78 | $0.66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | 79 W |
| 動作温度範囲 | -55°C to +150°C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| ピン数 | — | 8 |
| 動作温度 | — | -55 C to +175 C (junction) |