BSC026N04LSATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC026N04LSATMA1 par Infineon et BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC026N04LSATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,66 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 63 W | 79 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench-gate OptiMOS™ 5 | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction) |