BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon y IPB038N12N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N04LSGATMA1 IPB038N12N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 120V
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Disipación de potencia (TC=25°C) 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS trench MOSFET
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

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