BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC027N04LSGATMA1 제조: Infineon 및 IPB038N12N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC027N04LSGATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.54 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 120V |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 83 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C | -55C to +175C (junction) |
| 패키지 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS trench MOSFET |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |