BSC027N04LSGATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC027N04LSGATMA1 メーカー: Infineon および IPB038N12N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 - 120V 120A 3.8mOhm N-Ch OptiMOS | Infineon

IPB038N12N3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC027N04LSGATMA1 IPB038N12N3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.54 $1.78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 120V
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
消費電力(TC=25°C) 83 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +175C (junction)
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS trench MOSFET
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 120 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 300 W
On-State Resistance (Rds(on)) — 3.8 mOhm (typical)
パッケージ / ケース — PG-TO263-3 (D2PAK)
Gate Drive — Logic-level compatible
Standard Package Quantity — 1000 (Tape & Reel)
Avalanche Rated — Yes

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