BSC035N04LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC035N04LSGATMA1 por Infineon y BSC059N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC035N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 3.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C 69 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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