BSC035N04LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC035N04LSGATMA1 par Infineon et BSC059N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC035N04LSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |