BSC035N04LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC035N04LSGATMA1 от Infineon и BSC059N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC035N04LSGATMA1 - 40V 100A 3.5mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC035N04LSGATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC035N04LSGATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,48 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 3.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | 69 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +150°C | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +150 C |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |