BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon y IPG20N06S2L65ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC036NE7NS3GATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55°C to +175°C
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS ROHS3 Compliant —
Nivel MSL 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Technology — OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

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