BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC036NE7NS3GATMA1 par Infineon et IPG20N06S2L65ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC036NE7NS3GATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel Dual N-Channel, Logic Level
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55°C to +175°C
Boîtier PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS ROHS3 Compliant —
Niveau MSL 1 MSL1 (260°C peak reflow)
Technology — OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V)
Continuous Drain Current (ID) — 20 A per channel
RDS(on) at VGS=10V — 65 mΩ typical
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic level)
Total Power Dissipation (Ptot) — 43 W
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
RoHS Compliance — RoHS Compliant (Green Product)
Packaging — Tape & Reel (TMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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