BSC036NE7NS3GATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 비교
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Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSC036NE7NS3GATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $1.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | Dual N-Channel, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55°C to +175°C |
| 패키지 | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | ROHS3 Compliant | — |
| MSL 레벨 | 1 | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |