BSC0504NSIATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0504NSIATMA1 por Infineon y IAUC120N06S5L032ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0504NSIATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,82
Tipo de transistor N-channel MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current at Ta 21 A —
Continuous Drain Current at Tc 72 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Technology Family OptiMOS 5 —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 8 pins —
Exposed Pad Yes, according to distributor package description —
On-State Resistance [DATA_NEEDED: on-state resistance] —
Gate Charge [DATA_NEEDED: gate charge] —
Tensión umbral de puerta [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Resistencia térmica [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C (T_j)
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
Estado RoHS unknown Compliant
Lead-Free Status unknown —
Halogen-Free Status unknown —
REACH Status unknown —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (60 V)
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
Technology — OptiMOS 5 Trench
AEC-Q101 Qualified — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización