BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC021N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC059N04LS6ATMA1 por Infineon y BSC021N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ Activo
Infineon
BSC021N08NS5ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 - 80V 226A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC021N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC059N04LS6ATMA1 BSC021N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,81
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC021N08NS5ATMA1
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 80 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25°C) — 226 A
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 2.1 mΩ
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
Power Dissipation P_D (Tc=25°C) — 214 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Total Gate Charge Q_G typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
R_thJC thermal resistance max — [DATA_NEEDED: R_thJC]
Nivel MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Delivery Form — Tape & Reel (T&R)

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