BSC076N04NDATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon y BSZ068N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC076N04NDATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.1 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 46 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (trench-gate)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Encapsulado — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Nivel MSL — MSL1
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

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