BSC076N04NDATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon e BSZ068N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N04NDATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.1 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 46 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (trench-gate)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Nível MSL — MSL1
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Fichas técnicas e recursos

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