BSC076N04NDATMA1 vs BSZ068N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N04NDATMA1 par Infineon et BSZ068N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N04NDATMA1 BSZ068N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm 6.8 mΩ @ VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.1 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 46 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 5 (trench-gate)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — [DATA_NEEDED: ID at Ta]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier — PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Niveau MSL — MSL1
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, halogen-free

Fiches techniques et ressources

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