BSC093N15NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon y BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC093N15NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,83 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Sin halógenos [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]

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