BSC093N15NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon e BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC093N15NS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,83 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| Encapsulamento | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Livre de halogênio | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |