BSC093N15NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC093N15NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSZ110N08NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC093N15NS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.83 | $0.44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| 패키지 | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| 할로겐 프리 | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |