BSC100N10NSFGATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon y IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC100N10NSFGATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,49 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización