BSC100N10NSFGATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC100N10NSFGATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis