BSC100N10NSFGATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon e IAUC100N04S6L020ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC100N10NSFGATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,49 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

Fichas técnicas e recursos

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