BSC109N10NS3GATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC109N10NS3GATMA1 por Infineon y IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC109N10NS3GATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 63 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
RDS(on) Max 10.9 mOhm at VGS=10 V —
Technology OptiMOS 3 —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) 26 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Recuento de pines 8 3 (Gate, Drain, Source)
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Avalanche Energy Rated Yes —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

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