BSC109N10NS3GATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC109N10NS3GATMA1 par Infineon et IPB35N10S3L26ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC109N10NS3GATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 63 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
RDS(on) Max 10.9 mOhm at VGS=10 V —
Technology OptiMOS 3 —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) 26 nC —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Nombre de broches 8 3 (Gate, Drain, Source)
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Avalanche Energy Rated Yes —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fiches techniques et ressources

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