BSC109N10NS3GATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC109N10NS3GATMA1 por Infineon e IPB35N10S3L26ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC109N10NS3GATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $1,15
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 63 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
RDS(on) Max 10.9 mOhm at VGS=10 V —
Technology OptiMOS 3 —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) 26 nC —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Contagem de pinos 8 3 (Gate, Drain, Source)
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Avalanche Energy Rated Yes —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

Fichas técnicas e recursos

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