BSC118N10NSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC118N10NSGATMA1 por Infineon y BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC118N10NSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Lead Plating Pb-free —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Hojas de datos y recursos

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