BSC118N10NSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC118N10NSGATMA1 par Infineon et BSC027N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC118N10NSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Lead Plating Pb-free —
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis