BSC12DN20NS3GATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC12DN20NS3GATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC12DN20NS3GATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 200V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 11.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 50 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8 FL
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology OptiMOS power MOSFET OptiMOS 6
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Configuration Single N-channel —
Recuento de pines 8 —
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Número de pines — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización