BSC12DN20NS3GATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC12DN20NS3GATMA1 от Infineon и ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC12DN20NS3GATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,61 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Число выводов | 8 | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Непрерывный ток стока (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Количество выводов | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Рабочая температура | — | -55 °C to +175 °C |