BSC12DN20NS3GATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC12DN20NS3GATMA1 제조: Infineon 및 ISC151N08NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSC12DN20NS3GATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.61 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| 핀 수 | 8 | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| 핀 수 | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| 동작 온도 | — | -55 °C to +175 °C |