BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC155N06NDATMA1 por Infineon y BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 194 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

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