BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC155N06NDATMA1 por Infineon e BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 194 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Fichas técnicas e recursos

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