BSC155N06NDATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC155N06NDATMA1 par Infineon et BSC027N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) OptiMOS 5 (100V)
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 194 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Fiches techniques et ressources

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