BSC520N15NS3G vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC520N15NS3G por Infineon y BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC520N15NS3G BSC360N15NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC520N15NS3 G BSC360N15NS3GATMA1
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — 1

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