BSC520N15NS3G vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC520N15NS3G por Infineon e BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC520N15NS3G BSC360N15NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC520N15NS3 G BSC360N15NS3GATMA1
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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