BSC520N15NS3G vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC520N15NS3G par Infineon et BSC360N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC520N15NS3G BSC360N15NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC520N15NS3 G BSC360N15NS3GATMA1
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +150°C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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