BSD235CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSD235CH6327XTSA1 por Infineon y BSP316PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSD235CH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V -100 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (P-channel MOSFET)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Estado RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Nivel MSL 1 1
Recuento de pines 6 —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Encapsulado — PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Número de pines — 3 + thermal tab
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

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