BSD235CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD235CH6327XTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD235CH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,12 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V -100 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage SIPMOS (P-channel MOSFET)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Statut RoHS Compliant (lead-free) Compliant
Niveau MSL 1 1
Nombre de broches 6 —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Boîtier — PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Nombre de broches — 3 + thermal tab
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Fiches techniques et ressources

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