BSP316PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon y BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP316PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,21
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulado PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) —
Número de pines 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) SIPMOS (planar enhancement mode)
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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