BSP316PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP316PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,21
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Número de pinos 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) SIPMOS (planar enhancement mode)
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de operação — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fichas técnicas e recursos

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