BSP316PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP316PH6327XTSA1 von Infineon und BSP88H6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP316PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,21 $0,21
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gehäuse PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) —
Anzahl der Pins 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) SIPMOS (planar enhancement mode)
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Betriebstemperatur — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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