BSP316PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP316PH6327XTSA1 par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP316PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,21
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Boîtier PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) —
Nombre de broches 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) SIPMOS (planar enhancement mode)
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) — 1.8 W at Ta=25 C
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fiches techniques et ressources

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