BSP88H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon y BSP92PH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP88H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,31
Tipo de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1.8 W (Ta)
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Configuration Single —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +150C (Tj)
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Recuento de pines — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

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