BSP88H6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP88H6327XTSA1 par Infineon et BSP92PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP88H6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,31
Type de transistor N-Channel MOSFET P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1.8 W (Ta)
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Configuration Single —
Température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C (Tj)
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (unlimited)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Nombre de broches — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

Fiches techniques et ressources

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